标王 热搜: KDS  长电  风华  村田  vishay  tdk  光颉  电容  风华高科  京瓷 
 
当前位置: 首页 » 技术资料 » 基础知识 » 正文

长电科技MIS全能封装技术优势

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-07-06  来源:SMD资源网  作者:江阴长电科技  浏览次数:1949
核心提示:长电科技MIS全能封装科技,2010年10月震撼问世 是的,当您惊叹于MIS封装前所未见的纤薄尺寸、无可比拟的高密度I/O时,更意想不到MIS先进的焊区引入设计,为降低成本创造了更大可能。 极尽犀利,极尽高效,极尽经济——这,就是长电科技MIS专利技术为封装行业带来的一次划时代变革

9-01-1


前所未有的技术拓展
■ 轻而易举的多圈及全阵列外引脚设计
■ 芯片I/O数从2到500在同一封装形式上实现
■ 引线框封装首次获得BGA植球能力
■ 内层扇入设计显著缩短焊线长度
■ 支持WB、FC和COL装片及芯片堆叠、封装堆叠设计
■ 灵活的表面镀层选择(NiAu,NiPdAu,OSP)
长电科技MIS全能封装

独创MIS封装技术提供无以伦比的产品优势
■ 超小超薄尺寸
■ 高品质射频电性表现
■ BGA的封装密度 + QFN的封装技术
■ 灵活多样的设计选择
■ 优越的市场价格竞争力

MIS(预包封互联系统)
 
 
[ 技术资料搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 

 
推荐图文
推荐技术资料
点击排行
 
网站首页 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | 网站留言 | RSS订阅 | 苏ICP备11059432号