雪崩光电二极管常用型号及应用范围

   日期:2018-05-26     浏览:172    评论:0    
核心提示:雪崩光电二极管基本型号的应用范围 每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装

雪崩光电二极管基本型号的应用范围 
每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器,使其环境噪声更低,寄生电容更小。
C30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有4种型号使用硅晶体雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷(LLAM 系列),帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。

C30659 型号可以根据特殊应用需要,选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件,可以达到几乎100 %耦合效率。
C30950EH是可以替代C30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。C30919E 与C30950EH 使用相同设计结构,多了一个高压温度补偿电路以保持模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV 模块可用于低频高增益应用,它涵盖了从紫外线到接近红外线的广谱范围。
五、雪崩光电二极管应用领域
· 激光测距仪· 共焦显微镜检查· 视频扫描成像仪· 高速分析仪器· 自由空间通信
· 紫外线传感· 分布式温度传感器
六、雪崩光电二极特点和优点
· 载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大,雪崩倍增过程所需的时间越长。因而,雪崩倍增过程要受到"增益-带宽积"的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能 成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下,与其他影响光电二极管响应速度的因素相比,这种限制往往不起主要作用,因而雪崩光电二 极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。
与一般的半导体光电二极管一样,雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等 Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结 及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。
与真空光电倍增管相比,雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点,因而更适于实际应用;与一般的半导体光电二极管相比,雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点,特别当系统带宽比较大时,能使系统的探测性能获得大的改善。

 
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